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科研新知:印度理工學院曼迪校區(IIT Mandi)研究人員開發下一代自旋電子學技術

    印度理工學院計畫指導教授宣稱,團隊開發的奈米自旋電子設備將阻絕因電源中斷所造成的電腦數據遺失的問題。印度理工學院的研究員展現了尖端的磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)技術,該技術具有利用人工智慧(AI)和互聯網技術改造下一代電腦,智慧手機和其他周邊工具的能力。磁阻式隨機存取記憶體比目前的技術更快,並提供無限的讀寫週期。以此記憶體為基礎的數據儲存位元估算電腦刷新編程時間可降至〜2ns(奈秒),而不是較常見的動態隨機存取記憶體(DRAM)位元的〜50奈秒。

 

  印度理工學院曼迪分校的團隊最近設計開發了自旋轉移矩(STT)基礎的奈米自旋電子設備,該設備將阻絕因電源中斷所造成的電腦數據遺失。電算及電機工程學院的副教授Satinder K Sharma博士和Srikant Srinivasan博士,與共同參與計畫的研究學者Mohamad G Moinuddin,Shivangi Shringi和Aijaz H Lone都認為這是現代極為重要的需求。到2024年時,大數據,通信和資訊設備預計每一瞬間需要一兆個硬碟數據量。

 

  具有電子設備設計和製造的多元學科研究的先進設施,印度理工學院曼迪分校的電子設備設計和製造中心(C4DFED)是世界級的。 Satinder博士告訴大家,這個中心擁有100級和1000級無塵室實驗室,其中安裝了總金額超過五億盧比的尖端高度發展的電子設備設計、製造和特殊工具。

 

新聞來源:Hindustan Times(2020/4/20)

更新日期 : 2020/09/09